Готовые Домашние Задания

Рефераты по теме Металлургия

Реферат Cостояние и проблемы повышения эффективности работы транспортного хозяйства предприятия, производящего изделия электронной техники, в современных условиях

Скачать реферат↓ [416.48 KB]



Текст реферата Cостояние и проблемы повышения эффективности работы транспортного хозяйства предприятия, производящего изделия электронной техники, в современных условиях

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И
РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Кафедра менеджмента
РЕФЕРАТ
На тему:
« C остояние и проблемы повышения эффективности работы
транспортного хозяйства предприя
тия, производящего изделия
электронной техники, в современных условиях »
МИНСК, 2009
Основные отличия предприятия, производящего изделия электронной
техники, от других предприятий

Основными отличиями предприятия, производящего изделия
микроэлектроники, от других предприятий, является техпроцесс
изготовления основной продукции (изделий электронной техники), а также
основное технологическое оборудование и материалы.
Технологический процесс изготовления изделий эле к тронной техники
насчитывает от 50 до 150 оп е раций в зависимости от вида конкретного
изделия.
Первой операцией является резка полупроводниковых кремниевых пл а
стин диаметром 150 мм из слитка кремния. Готовые пластины поступают на
группы операций, формирующих p n переходы. К этим операциям относятся
обезжирив а ние, диффузия, окисление.
Обезжиривание выполняется на специальных установках обезжиривания, в
ванны которых заливается специальный обе з жиривающий раствор, в
который на некоторое время окунаются пластины. Время пролеживания
обезжиренных пл а стин перед диффузией или окислением не должно
превышать 30 мин. Операции диффузия и окисление осуществляются в
специальных диффузионных печах, н а пример СДО 125/3.
Очистка поверхности пластин от загрязнений на протяжении технологич е
ского производственного процесса осуществляется многократно. С точки
зр е ния механизма процессов все методы очистки можно условно
разделить на физич е ские и химические. При физических методах
загрязнения удаляются растворен и ем, а также обработкой поверхности
ускоренными до больших энергий ионами инертных газов. В тех случаях,
когда загрязнения нельзя удалить физически, пр и меняются химические
методы, при которых загрязнения, находящиеся на повер х ностном слое,
переводятся в новые химические соединения и затем удаляю т ся.
Процесс диффузии представляет собой проникновение примесей бора и
фосфора в кремний под воздействием температуры. В результате диффузии,
фо р мируется диффузионный слой с заданными поверхностной
концентрацией и пр о филем распределения примеси по глубине от
поверхности полупроводника до границы p n перехода. Чаще всего
диффузия примесей проводится в прочном р е акторе в потоке
газаносителя, который доставляет к поверхности полупроводниковых
пластин примесес о держащее вещество из внешнего источника.
Для нанесения локальных, расположенных на поверхности полупрово д
ника источников диффузии, применяют газообразные, жидкие и твердые
внешние и с точники примеси. Газообразными источниками служат, в
основном, ги д риды примесей (РН3, В2Н6). Они поставляются в баллонах
малой емкости в виде сил ь но разбавленных инертным газом смесей, в
диффузионную печь вводятся через вентиль и смеситель вместе с
газомносителем и окислителем (кислор о дом).